IRHE3110
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IRHE3110
IRHE3110
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    2.2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    600 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    18-pin LCC
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHE3110 is a rad hard MOSFET with IR HiRel R4 HEXFET technology, which provides high performance power in space applications. This COTS device has a break down voltage rating of 100V and drain current of 3.5A. This N-channel MOSFET comes in a surface mount 18-pin package with electrical performance up to 300krad(Si). SEE hardened, it's a proven choice for DC-DC converters, motor drives, electric propulsion and thermal management.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ