IRF7105PBF-1

IRF7105PBF-1

25V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

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IRF7105PBF-1
IRF7105PBF-1

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -2.3 A, 3.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.8 nC, 3.1 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC, 9.4 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    250 mΩ, 100 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    400 mΩ, 160 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V~3 V, -1 V~-3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+P
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ