IQDH45N04LM6CGSC
Active and preferred
RoHS対応

IQDH45N04LM6CGSC

OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)
データシート
パッケージ

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IQDH45N04LM6CGSC
IQDH45N04LM6CGSC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    611 A
  • QG (typ @4.5V)
    62 nC
  • QG (typ @10V)
    129 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    0.58 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.49 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.3 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Dual-Side Cooling
推奨
OPN
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The power MOSFET IQDH45N04LM6CGSC comes with a low RDS(on) of 0,45 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Center-Gate footprint is optimized for parallelization. Moreover, with the dual-side cooling package five times more power can be dissipated compared to the overmolded package. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications.

特長

  • Cutting edge 40 V silicon technology
  • Outstanding FOMs
  • Improved thermal performance
  • Ultra-low parasitics
  • Maximized chip/package ratio
  • Center-Gate footprint
  • Industry-standard package

利点

  • Best switching performance
  • Minimized conduction losses
  • Fast switching
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Less device paralleling required
  • Lowest RDS(on) on a 5x6 footprint
  • Easy thermal management
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ