IPP126N10N3 G

データシート

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IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    1880 pF
  • Coss
    330 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    58 A
  • IDpuls (最大)
    232 A
  • Ptot (最大)
    94 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12.6 mΩ
  • Rth
    1.6 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    2 V ～ 3.5 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.55
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }