IPP023N08N5
Active and preferred
RoHS対応

IPP023N08N5

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications
パッケージ
個.
在庫あり

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IPP023N08N5
IPP023N08N5
個.

製品仕様情報

  • Ciss
    9300 pF
  • Coss
    1500 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • IDpuls (最大)
    480 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • QG (typ @10V)
    133 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.81
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPP023N08N5AKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET , especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies . In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapter . Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Capacitance reduction of up to 44%
  • 43% lower Rds(on) vs. previous gen

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ