IPI051N15N5
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RoHS対応

IPI051N15N5

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パッケージ

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IPI051N15N5
IPI051N15N5
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    6000 pF
  • Coss
    1500 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • IDpuls (最大)
    480 A
  • Ptot (最大)
    300 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.1 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • Tj 範囲
    -55 °C～175 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.69
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPI051N15N5AKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO262-3
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO262-3
パッケージ名 I2PAK
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25% compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency.

特長

  • Firm FOMgd and FOMoss with lower RDS(on)
  • Lower output charge
  • Ultra-low reverse recovery charge
  • Increased commutation ruggedness
  • Higher switching frequency possible

利点

  • Reduced paralleling
  • Higher power density designs
  • More rugged products
  • System cost reduction
  • Improved EMI behavior

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ