IGD08N120S7
Active and preferred
RoHS対応

IGD08N120S7

1200 V, 8 A IGBT7 S7 in TO-252-3pin package
個.
在庫あり

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IGD08N120S7
IGD08N120S7
個.

製品仕様情報

  • Eoff
    0.67 mJ
  • Eon
    0.73 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    9 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    5 A
  • ICpuls (最大)
    24 A
  • QGate
    55 nC
  • td(off)
    225 ns
  • td(on)
    14 ns
  • tf
    246 ns
  • tr
    18 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz~20 kHz
  • パッケージ
    PG-TO252-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IGD08N120S7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 1200 V, 8 A single TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 discrete in TO-252 package which offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications.

特長

  • VCE = 1200 V
  • IC = 8 A
  • Low VCEsat = 2 V at Tvj = 150°C
  • Short circuit ruggedness 8 µs
  • Wide range of dv/dt controllability

利点

  • Compact design for high volt. aux-supply
  • Reduced EMI min e-magnetic interference
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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