IDH10G120C5
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDH10G120C5

1200 V Silicion Carbide Schottky diode in TO-220 real2pin package
データシート
パッケージ
ボード
個.
在庫あり

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IDH10G120C5
IDH10G120C5
個.
データシート

製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    99 A
  • IF (最大)
    10 A
  • IR
    4 µA
  • Ptot (最大)
    165 W
  • QC
    41 nC
  • RthJC
    0.7 K/W
  • VF
    1.5 V
  • パッケージ
    PG-TO220-2
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IDH10G120C5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-220 real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point..

特長

  • Best-in-class forward voltage (VF)
  • No reverse recovery charge
  • Mild positive temp. depend. of VF
  • Best-in-class surge current capab.
  • Excellent thermal performance
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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