Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25VN10-GTR

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM25VN10-GTR
FM25VN10-GTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25VN10-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM25VN10-GTRは1-Mbit（128K × 8）シリアルF-RAMで、SPIインターフェースを搭載し、頻繁かつ高速な書き込みに最適な高耐久性不揮発性メモリです。2.0 V～3.6 V動作、最大40 MHzクロック、1e14回の読み書きサイクル、65°Cで151年のデータ保持を保証。NoDelay™書き込み、低動作/スリープ電流、–40°C～+85°Cの工業用温度範囲、工場出荷時書き込み済み8バイトのユニークシリアル番号で安全な識別が可能です。

特長

  • 1Mビット不揮発性F-RAM、128K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™バス速度書き込み
  • 最大40 MHzのSPIインターフェース
  • 低消費電力：0.3 mA動作、5 μAスリープ
  • VDD動作範囲2.0 V～3.6 V
  • 工業温度–40°C～+85°C
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • SPIモード0/3対応
  • デバイス・ユニークシリアル番号
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換可

利点

  • 書き込み遅延によるデータ損失防止
  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 65°Cで151年の信頼性保持
  • 高速メモリアクセス実現
  • システム消費電力を低減
  • 低電圧設計に対応
  • 工業環境下でも高信頼性
  • 誤書きからデータを保護
  • 標準SPIで簡単統合
  • デバイス追跡・セキュリティ強化
  • ファーム変更不要で置換
  • フラッシュ/EEPROMより高耐久

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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