CY7C1620KV18-333BZXI

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製品仕様情報

Density

144 MBit
ECC

N
On-Die Termination (オンダイ終端)

N
アーキテクチャ

DDR-II CIO
インターフェース

Parallel
データバス幅

x 36
バンクスイッチング

N
バースト長 (Words)

2
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

DDR-II CIO
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

1.7 V～1.9 V
周波数

333 MHz
組織 (X x Y)

4Mb x 36
認定

Industrial
読み込みレイテンシ (サイクル)

1.5

	推奨
OPN	CY7C1620KV18-333BZXI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	105
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	105
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY7C1620KV18-333BZXIは144-MbitのDDR II同期パイプラインSRAMで、4M × 36構成です。333 MHzクロックとDDR転送（データレート666 MHz）に対応し、2ワードバーストカウンタでアドレスバス周波数を低減します。コア電源は1.8 V（VDD 1.7～1.9 V）、I/O電源は1.4 V～VDD。165ボールFBGAのPbフリーで、産業用-40°C～+85°Cグレードです。

特長

144-Mbit DDR II同期SRAM
333 MHz動作,666 MHz転送
2ワードバースト(1-bit)
DOFF高で1.5サイクル遅延
DOFF低で1サイクル遅延
DDR入力クロックK/K
出力クロックC/Cまたは単一
エコークロックCQ/CQ搭載
ZQで出力インピーダンス調整
RQ 175–350 Ωで±15%
PLL 120 MHz～fMAX動作
JTAG IEEE 1149.1対応

利点

高速アクセスの高帯域を実現
低fCLKでも高スループット
アドレス切替低減でEMI抑制
遅延選択で組込み容易
K/KでDDRタイミング簡素化
C/Cでスキュー余裕を改善
CQ/CQで高速キャプチャ容易
ZQ調整で信号品質を向上
整合で反射を低減
PLLでデータ配置タイミング改善
JTAGで基板試験/デバッグ短縮
深度拡張で待ち挿入不要

アプリケーション

デザインリソース

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CY7C1620KV18-333BZXI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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CY7C1620KV18-333BZXI

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