CY7C1565KV18-500BZXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1565KV18-500BZXI

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CY7C1565KV18-500BZXI
CY7C1565KV18-500BZXI

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II+
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.9 V
  • 周波数
    500 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2.5
OPN
CY7C1565KV18-500BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1565KV18-500BZXIは72 Mbit(2M×36)の1.8 V同期パイプラインQDR II+ SRAMで、独立したリード/ライトポートと4ワードバースト構成を備えます。2.5サイクルのリードレイテンシに対応し、K/KクロックでDDR転送を最大500 MHzまでサポートします。CQ/CQエコークロックとQVLDデータ有効出力を搭載。I/O電源VDDQは1.4 V~VDD、165ボールFBGA、-40°C~+85°C動作です。

特長

  • QDR II+ 4ワードバースト
  • 独立した読出し/書込みポート
  • 読書込み両ポートDDR I/O
  • DOFF=Hで2.5サイクル遅延
  • DOFF=Lで1サイクル遅延
  • 最大550 MHzクロック
  • クロック縁から0.45 nsで有効
  • CQ/CQエコークロック出力
  • QVLDはデータ0.5周期前に出力
  • RQで出力インピーダンス調整
  • PLLは120 MHzまで動作
  • IEEE 1149.1 JTAG境界スキャン

利点

  • バス切替不要で競合を低減
  • 550 MHz DDRで帯域を向上
  • 4ワードでアドレス周波数低減
  • 遅延選択でタイミング容易
  • 1サイクルで読出し遅延低減
  • 0.45 ns有効で厳しい時序対応
  • CQ/CQでデータ取得を簡素化
  • QVLDでストローブ整合が容易
  • インピーダンス整合でSI向上
  • PLLでデータ配置精度を改善
  • 深度拡張でウェイト不要
  • JTAGで基板試験とデバッグ迅速

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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