CY7C1041G30-10BVXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1041G30-10BVXI

個.
在庫あり

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CY7C1041G30-10BVXI
CY7C1041G30-10BVXI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
OPN
CY7C1041G30-10BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1041G30-10BVXIは4 Mbit(256K×16)の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵します。2.2 V~3.6 V、-40°C~85°Cで動作し、アドレスアクセス10 nsに対応。BLE/BHEでバイト書き込みが可能で、非選択時はI/Oを3ステート化します。1.0 Vデータ保持をサポート。CEパワーダウン(CMOS)時のスタンバイ電流は最大8 mA。48ボール6×8×1.0 mm VFBGA品種です。

特長

  • 4-Mbit SRAM(256K×16)
  • ECC内蔵で1bit訂正
  • ERRで訂正イベント通知
  • アドレスtAA 10/15 ns
  • 読出し周期tRC 10/15 ns
  • OE→データtDOE最大4.5 ns
  • BHE/BLEでバイトアクセス
  • CE自動パワーダウン対応
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • 動作温度-40°C~+85°C
  • TTL互換入出力

利点

  • ECCでSRAMデータ信頼性向上
  • ERRで故障監視が容易
  • 10 nsで高速CPUバス対応
  • 高速tDOEで読出し遅延低減
  • バイト有効で電力と転送削減
  • CEパワーダウンで待機電流低減
  • 1.0 V保持でバックアップ容易
  • 広温度でシステム信頼性向上
  • TTL互換で接続を簡素化

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ