Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY62167EV30LL-45BVXI

High-Density 16MBit MoBL™ Parallel SRAM | Sn/Ag/Cu Finish - Ideal for Industrial Applications, Wide Operating Range
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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CY62167EV30LL-45BVXI
CY62167EV30LL-45BVXI
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    2.2 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62167EV30LL-45BVXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 4800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
包装サイズ 4800
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CY62167EV30LL-45BVXI is a high-performance CMOS static RAM available in configurations of 1M words by 16 bits or 2M words by 8 bits. Its advanced circuit design delivers ultra-low active current, making it perfect for More Battery LifeTM (MoBL®) in portable applications like cellular telephones. With an automatic power down feature reducing power consumption by 99% during idle addresses, and standby mode activation when deselected, this device ensures energy-efficient operation. Additionally, the input and output pins enter a high-impedance state under various conditions, including deselection, disabled outputs, and ongoing write operations. Experience superior power efficiency and performance with the CY62167EV30LL-45BVXI CMOS static RAM.

機能

  • 1M × 16 or 2M × 8 SRAM
  • Very high speed: 45 ns
  • Wide voltage range
  • Ultra-low standby power
  • Ultra-low active power
  • Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE
  • Automatic power-down when deselected
  • CMOS for optimum speed and power
  • Industrial temperature: –40 °C to +85 °C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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