CY62158G30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62158G30-45ZSXI

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62158G30-45ZSXI
CY62158G30-45ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62158G30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
PH
ウェハ製造国
TW
CY62158G30-45ZSXI is an 8-Mbit (1M × 8) CMOS MoBL SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C and supports 45 ns access. Ultra-low standby current is 1.4 µA typical (6.5 µA max), with 18 mA typical operating ICC at 22.22 MHz. Dual chip enables (CE1/CE2) and a Pb-free 44-pin TSOP II package fit low-power embedded memory.

特長

  • 8-Mbit SRAM (1M × 8)
  • Embedded ECC single-bit correction
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC operating 2.2 V to 3.6 V
  • Data retention down to 1.0 V
  • Standby current 1.4 µA typ
  • Standby current 6.5 µA max
  • Operating ICC 25 mA max at 22 MHz
  • Dual chip enable inputs (CE1, CE2)
  • OE/WE controls; High-Z outputs
  • CMOS TTL-compatible I/O levels
  • -40°C to +85°C operating temp

利点

  • ECC improves data integrity
  • 45 ns supports fast SRAM access
  • 2.2–3.6 V fits 3 V rails
  • 1.0 V retention preserves data
  • µA standby extends battery life
  • Low ICC reduces system power
  • Dual CE simplifies power gating
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • TTL I/O eases MCU interfacing
  • -40°C to +85°C boosts reliability
  • Low SER FIT aids robustness
  • No write-back avoids side effects

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ