CY62158G30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62158G30-45ZSXI

パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62158G30-45ZSXI
CY62158G30-45ZSXI

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62158G30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 135
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62158G30-45ZSXIは8-Mbit（1M×8）のCMOS MoBL SRAMで、単一ビット誤り訂正用ECCを内蔵します。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、45 nsアクセスに対応。スタンバイ電流は1.4 µA typ、6.5 µA max、22.22 MHzで動作ICCは18 mA typ。デュアルCE（CE1/CE2）とPbフリー44ピンTSOP IIで低消費メモリに適します。

特長

  • 8 Mbit SRAM（1M×8）
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • 45 nsの読出し/書込み周期
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • スタンバイ1.4 µA typ
  • スタンバイ6.5 µA max
  • 22 MHzでICC最大25 mA
  • デュアルCE入力（CE1/CE2）
  • OE/WE制御・出力High-Z
  • CMOS/TTL互換I/Oレベル
  • 動作温度-40°C～+85°C

利点

  • ECCでデータ信頼性向上
  • 45 nsで高速SRAMアクセス
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • 1.0 V保持でデータ維持
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 低ICCでシステム消費低減
  • デュアルCEで電源制御簡素化
  • High-Zでバス共有が容易
  • TTL I/OでMCU接続が容易
  • -40～+85°Cで信頼性向上
  • 低SER FITで堅牢性向上
  • 書戻し無しで副作用を回避

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ