CY62157G30-45ZSXAT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157G30-45ZSXAT

データシート
パッケージ

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CY62157G30-45ZSXAT
CY62157G30-45ZSXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62157G30-45ZSXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62157G30-45ZSXATはAEC-Q100準拠の8-Mbit（512K×16）非同期SRAMで、単一ビット誤り訂正のECCを内蔵。2.2 V～3.6 V（3 V typ）で–40°C～+85°C動作し、デュアルチップイネーブルとBLE/BHEのバイト制御、45 nsアクセスに対応。自動パワーダウン待機は1.4 µA typ（6.5 µA max）、データ保持は1.0 Vまで規定。

特長

  • 8-Mbit SRAM（512K×16）
  • ECCで1ビット誤り訂正
  • 45 ns/55 ns読書き周期
  • VCC 1.65-2.2/2.2-3.6 V
  • スタンバイtyp 5 µA
  • スタンバイmax 35 µA
  • 16ビットI/Oバス(I/O0-15)
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • デュアルCE入力CE1/CE2
  • 非選択/OE HighでHi-Z
  • 入出力リーク±1 µA
  • 1.5 Vデータ保持対応

利点

  • ECCでデータ破損を低減
  • 45 nsでCPU読出し高速化
  • 2つのVCCで電源流用容易
  • 5 µA待機で電池寿命向上
  • 35 µA maxで電力見積容易
  • 16ビットで帯域を向上
  • バイト書込みで転送回数削減
  • デュアルCEでバス共有が容易
  • Hi-Z出力でバス競合を回避
  • ±1 µAで静止損失を低減
  • 1.5 V保持で状態維持
  • OE/WE制御で設計を簡素化

アプリケーション

民生用電子機器
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ