CY62147G30-55ZSXET
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147G30-55ZSXET

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62147G30-55ZSXET
CY62147G30-55ZSXET
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62147G30-55ZSXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62147G30-55ZSXETは4-Mbit（256K×16）の非同期CMOS SRAMで、単ビット訂正用ECCを内蔵します。3.0 V品で電源2.2 V～3.6 V、動作温度–40°C～+85°C、アクセス時間55 ns。BLE/BHEのバイト読出し/書込み、TTL互換I/O、オートパワーダウン待機（ISB2 typ 3.5 µA、max 8.7 µA）に対応し、組込み機器のバッファメモリに適します。44ピンTSOP IIテープ&リール品です。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • tRC読出し45/55 ns
  • 16-bit I/O、BLE/BHE対応
  • 非選択時I/OはハイZ
  • スタンバイ最大8.7 µA
  • データ保持VDR=1.0 V
  • VCC=1.2 VでICCDR最大13 µA
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • ESD >2001 V（883法）
  • ラッチアップ電流>140 mA

利点

  • ECCで1ビット故障を訂正
  • 45/55 nsで高速アクセス
  • バイト有効で書込みを削減
  • ハイZでバス共有が容易
  • 最大8.7 µA待機で省電力
  • 1.0 V保持でデータ保持
  • 保持13 µAでバックアップ軽減
  • –40°C～+85°Cで信頼性向上
  • ESD>2001 Vで取扱い向上
  • ラッチアップ>140 mAで堅牢
  • 非同期SRAMでリフレッシュ不要
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ