CY62147EV18LL-55BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147EV18LL-55BVXIT

データシート
パッケージ

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CY62147EV18LL-55BVXIT
CY62147EV18LL-55BVXIT
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.65 V～2.25 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62147EV18LL-55BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62147EV18LL-55BVXITは4 Mbit（256 K×16）のCMOS SRAMで、Pbフリー48ボールVFBGAに搭載し、55 nsアクセスを規定。1.65 V～2.25 V、-40°C～85°Cで動作し、CE/OE/WEとBLE/BHEのバイトイネーブルを装備。1 MHz時ICC最大2.5 mA、f=fmaxで最大20 mA。非選択時の自動パワーダウンでISB最大7 µA、VCC=1.0 Vでデータ保持（ICCDR最大5 µA）。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • 読出しサイクル55 ns(tRC)
  • 書込みサイクル45 ns(tWC)
  • 単一電源1.65 V～2.25 V
  • 1 MHz時アクティブ2 mA典型
  • スタンバイ電流1 µA典型
  • 非選択時オートパワーダウン
  • VCC≥1.0 Vでデータ保持
  • 保持電流0.5 µA典型
  • 非選択時出力はHigh-Z
  • バイトイネーブルBLE/BHE
  • 入出力リーク±1 µA最大

利点

  • 16ビットバスに適合
  • 55 nsで高速CPUアクセス
  • 45 ns書込みで待ち削減
  • 1.8 Vレール直結で動作
  • 低アクティブ電力で携帯向け
  • µAスタンバイで電池長持ち
  • アイドル時に自動で省電力
  • バックアップ電源でデータ保持
  • µA保持でコイン電池対応
  • High-Zでバス競合を回避
  • バイト書込みで負荷を低減
  • 低リークで電力予算に余裕

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ