CY62128ELL-55SXE
Active and preferred
RoHS対応

CY62128ELL-55SXE

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62128ELL-55SXE
CY62128ELL-55SXE
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62128ELL-55SXE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62128ELL-55SXEは5 Vシステム向け1 Mbit（128 K×8）のCMOS SRAMで、CE1/CE2/OE制御により読み書きと容易なメモリ拡張を実現します。4.5 V～5.5 V、-40°C～+125°C（Automotive-E）で動作し、アクセス時間は55 nsです。自動CEパワーダウンと代表1 µAスタンバイ（最大30 µA）に対応。TTL入力レベルをサポートし、32ピン450 mil SOIC、Pb-free。

特長

  • 128K×8 SRAM構成
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • VCC動作4.5 V～5.5 V
  • 1 MHzでICC典型1.3 mA
  • スタンバイ典型1 µA
  • CE自動パワーダウン(ISB2)
  • CE1/CE2とOE制御
  • 非選択時出力は高インピ
  • TTL互換入力レベル
  • VIH 2.2 V,VIL 0.8 V
  • 入力容量最大10 pF
  • OE→データ有効tDOE 22 ns

利点

  • 45 nsでアクセス遅延を低減
  • 5 V系にそのまま適合
  • 典型1.3 mAで動作電力低減
  • 1 µA待機で電池寿命延長
  • 自動省電力で待機損失低減
  • CE1/CE2で拡張設計が容易
  • 高インピでバス共有が容易
  • TTLでMCU/CPU接続が簡単
  • 閾値規定で誤動作リスク低減
  • 低容量でタイミング余裕
  • 22 nsでOE読出し応答向上
  • 低待機で発熱を抑制

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ