CY14V101PS-SF108XI

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CY14V101PS-SF108XI
CY14V101PS-SF108XI

製品仕様情報

  • Density
    1024 kBit
  • インターフェース
    QSPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 周波数
    108 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
CY14V101PS-SF108XIは、リアルタイムクロックを内蔵した1Mビット (128K×8) のクワッドSPI nvSRAMです。108 MHzのクロック周波数でSPI/DPI/QPIをサポートし、最大54 MB/秒の読み書き速度を実現します。データはSRAMにSTOREされ、電源オフ時にSONOS不揮発性セルに自動STOREされ、電源オン時にRECALLされます。STORE耐久性は100万回、85℃での保持期間は20年です。コア電圧は2.7 V~3.6 V、VI/O電圧は1.71 V~2.0 Vで動作します。

特長

  • 108 MHz QPIクロック周波数
  • SPI/DPI/QPIシングル/デュアル/クアッドI/O
  • SPIモード0および3をサポート
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • 電源投入時に自動RECALL
  • ソフトウェアおよびHSB STORE/RECALL
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • 85℃で20年間保持
  • スリープ電流: 85℃で380 μA
  • ハイバネート電流: 85℃で8 μA
  • コアVCC: 2.7 V~3.6 V
  • RTCバックアップ: VRTCBATで最大1 μA

利点

  • 108 MHzによる高スループット
  • マルチI/Oによるバス帯域幅向上
  • SPIホストとの容易な互換性
  • 電源喪失時のSRAMデータ保存
  • 起動時のシステム状態復元
  • 柔軟なNV保存/復元制御
  • 頻繁な保存操作に対応する高いSTORE耐久性
  • 長期データ保存の信頼性
  • スリープモードによるスタンバイ電力低減
  • ハイバネートによるバッテリー寿命延長
  • 3.3 Vコア電源レールに対応
  • RTCバックアップ時の低バッテリー消費

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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