Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B256LA-ZS25XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B256LA-ZS25XI
CY14B256LA-ZS25XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B256LA-ZS25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B256LA-ZS25XIは256-Kbit（32 K × 8）のパラレルnvSRAMで、高速SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージを同一セルに統合します。2.7 V～3.6 V、−40°C～+85°Cで動作し、25 nsアクセスに対応。電源断時は61 µF～180 µFのVCAPコンデンサで自動STOREし、電源投入時に自動RECALLします。STORE/RECALLはHSBピンまたはソフトウェアでも開始可能で、データ保持20年、STOREは100万回です。

特長

  • 32 K×8パラレルSRAM I/F
  • 各セルQuantumTrap不揮発
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSBピンでSTORE制御
  • 6回読出しでS/R開始
  • 全セル並列STORE/RECALL
  • 単電源2.7 V～3.6 V
  • 不揮発STORE回数1000 K
  • データ保持20年
  • SRAM読書込サイクル無制限
  • スタンバイ電流最大5 mA
  • 入力リーク±1 µA(HSB除く)

利点

  • 電源断でも自動でデータ保持
  • バックアップ電池が不要
  • SRAM同等I/Fで置換容易
  • STORE制御手段を選べる
  • ソフトだけで退避/復帰
  • 復電後に素早くデータ復帰
  • 一般的な3 V電源で動作
  • 重要データの長期ログに適合
  • 設定データを20年保持
  • 稼働中SRAMを無制限更新
  • スタンバイ時の消費電力低減
  • リークに厳しい設計に有利

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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