CY14B256LA-SP25XIT

パッケージ

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CY14B256LA-SP25XIT

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

256 kBit
インターフェース

Parallel
ピークリフロー温度

260 °C
リードボール仕上げ

Ni/Pd/Au
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
組織 (X x Y)

32Kb x 8
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B256LA-SP25XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-SSOP-48
パッケージ名	SSOP-48 (51-85061)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:		個. 在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-SSOP-48
パッケージ名	SSOP-48 (51-85061)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

個.

在庫あり

CY14B256LA-SP25XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～85℃で、25 nsのアクセス速度をサポートします。データは、61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して電源オフ時に自動的に保存され、STOREおよびRECALLはピンまたはソフトウェアによって制御されます。100万回のSTOREサイクルと20年間のデータ保持に対応します。

特長

32 K × 8並列SRAMインターフェース
セルごとのQuantumTrap不揮発性
VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
HSBピン制御によるSTORE
6回読み出しシーケンスによるSTORE/RECALL
全セルの並列STORE/RECALL
2.7 V～3.6 V単電源
不揮発性STOREサイクル: 100万回
データ保持期間: 20年
SRAMの読み出し/書き込みサイクルは無制限
スタンバイ電流: 最大5 mA
入力リーク電流: ±1 μA (非HSB)

利点

電源喪失時のデータ自動保持
データバックアップにバッテリー不要
SRAMのようなシンプルなパラレルバス
柔軟なSTORE制御オプション
ソフトウェアのみによる保存/復元制御
電源復旧後の高速復帰
一般的な3 V電源レールに対応
重要データの長期ログ記録
20年間の設定データ保持
無制限の実行時SRAM更新
スタンバイモード時の待機電力削減
リーク電流に敏感な設計の課題軽減

アプリケーション

ヘルスケア

汎用モータードライブ

公的身分証明書

デザインリソース

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CY14B256LA-SP25XIT

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14B256LA-SP25XIT

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