CY14B104NA-ZS25XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B104NA-ZS25XI

パッケージ
個.
在庫あり

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CY14B104NA-ZS25XI
CY14B104NA-ZS25XI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B104NA-ZS25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 675
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14B104NA-ZS25XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた4MビットのnvSRAM (256K×16) です。2.7 V～3.6 Vの電圧範囲で動作し、電源オフ時に必要な68 µFのVCAPコンデンサーにデータを自動的にSTOREし、電源オン時にRECALLします。ソフトウェアによるSTORE/RECALLもサポートされています。44ピンTSOP IIパッケージで、25 nsのアクセス速度、20年間のデータ保持期間、100万回のSTOREサイクルを実現します。

特長

  • 4 MビットnvSRAM、SRAMインターフェース
  • 電源断時の自動保存 (AutoStore)
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • ソフトウェアまたはハードウェア ピンによるSTORE
  • QuantumTrap 不揮発性素子
  • 2.7 V～3.6 V単電源
  • 動作温度: -40℃～+85℃
  • データ保持期間: 20年
  • 不揮発性STORE動作: 100万回
  • VCAP外付けコンデンサ: 61～180 μF
  • VSWITCH低電圧トリガー: 2.65 V
  • STORE時間 tSTORE: 最大8 ms

利点

  • SRAMのような即時アクセス
  • 停電時保存用ファームウェア不要
  • 電源復旧後の高速復元
  • 柔軟な保存制御オプション
  • EEPROMと比較した高信頼性NVM
  • 安定化3 V電源レールに対応
  • 過酷な温度環境下での安定動作
  • 長期データ保持による設定保護
  • 頻繁な保存操作に対応するSTORE耐久性
  • 小型コンデンサーでバックアップ不要の保存
  • 予測可能なブラウンアウト時保存トリガー
  • 短いSTORE時間によるダウンタイム抑制

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ