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RoHS準拠

CY14B101LA-ZS45XI

データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY14B101LA-ZS45XI
CY14B101LA-ZS45XI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B101LA-ZS45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B101LA-ZS45XIは1 Mbit（128 K × 8）のパラレルnvSRAMで、各ビットにQuantumTrap不揮発セルを内蔵します。単一2.7 V～3.6 V電源、-40°C～85°Cで動作し、45 nsアクセスに対応。61 µF～180 µFのVCAPで電源断時に自動STOREし、電源投入時にRECALL；STORE/RECALLはピンまたはソフト制御も可能で、データロギングや設定保存に適します。

特長

  • QuantumTrap nvSRAM構造
  • 1 Mbit SRAM＋不揮発保存
  • VCAPで電源断AutoStore
  • HSB/ソフトでSTORE開始
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V～3.6 V
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1000K回
  • VCC<2.65 Vで書込み禁止

利点

  • 突然の電源断でもデータ保持
  • NVM管理用FWを削減
  • 復電後すばやく復元
  • HW/SW両方で制御可能
  • 保存時間が予測可能(≤8 ms)
  • 起動時リコール予測(≤20 ms)
  • ブラウンアウトで誤書込み防止
  • 3 V電源で一般ロジックに適合
  • 20年保持でログ用途に適合
  • 100万回STOREで頻繁保存
  • 無制限SRAM R/Wで高頻度対応
  • HSBビジーでタイミング簡単

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }