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BFP740ESD
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP740ESD

生産終了
データシート
パッケージ

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BFP740ESD
BFP740ESD
データシート


製品仕様情報

  • fT
    45 GHz
  • Gmax
    29 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    45 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    25 dBm
  • OP1dB
    10 dBm
  • Ptot
    160 mW
  • VCEO (最大)
    4.2 V
  • パッケージ
    SOT343

OPN
BFP740ESDH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343-4-2
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343-4-2
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
The BFP740ESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT).

特長

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,  2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
  • NFmin = 0.65 dB at 2.4 GHz and 0.9 dB at 5.5 GHz, 3V, 6 mA
  • High gain Gms = 25.5 dB at 2.4 GHz and Gma = 18.5 dB at 5.5 GHz, 3V, 25 mA
  • OIP3 = 24 dBm at 5.5 GHz, 3V, 25 mA
 

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ