インフィニオン、新しいフォームファクタ、オンステート抵抗、およびスイッチング性能の標準となるPQFN 2x2 OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 Vソリューションを発表

マーケットニュース

14/03/2022

2022年2月28日、ミュンヘン(ドイツ)

ディスクリート パワーMOSFET技術における新しい技術標準の確立に取り組むインフィニオン テクノロジーズ（FSE：IFX / OTCQX：IFNY）は、新しい PQFN 2 x 2 mm 2 OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 V製品ファミリーを発表しました。薄型ウエハ技術とパッケージング イノベーションを組み合わせたこの新しいデバイスは、非常に小さなフォーム ファクターで大きな性能上の利点を実現します。OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 Vは、 サーバ、 テレコム ブリック、ポータブル 充電器、 ワイヤレス充電などのSMPS（スイッチド モード電源）における同期整流用に最適化されています。また、パワーMOSFETは、フォーム ファクターの小型化と部品の軽量化が求められる ドローンの小型 ブラシレス モーター用電子速度制御（ESC）向けに設計されています。

 

クラス最高の PQFN 2x2デバイスは、業界最小のオンステート抵抗で、新しい電力密度とエネルギー効率の高い次元を実現します。2 x 2 mm 2 の小さなパッケージフットプリントは、PCBレイアウトの配線自由度を高めます。優れた電気的性能と相まって、このソリューションは、最終アプリケーションの電力密度およびフォームファクタの改善にさらに貢献します。さらに、システム温度の低減と性能の向上により、熱管理にも配慮しています。これらの特徴は、お客様のアプリケーションの全体的な小型化に貢献し、大幅な省スペース化、システムコストの削減、設計の容易な製品化を可能にします。

 

供給体制について

OptiMOS™ 5 25 Vおよび30 VパワーMOSFETファミリーのPQFN 2x2ファミリーは、販売されています。詳細は下記のリンクをご覧ください。

  • PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm 2, R DS(on)2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)
  • PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm 2, R DS(on)3.6 mΩ (ISK036N03LM5)

また、製品の詳細は OptiMOS™ 5 25 V/30 Vこちらのリンクでご覧いただけます。

インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細情報は こちらをご覧ください。

Press Photos

optimos pqfn 2x2

optimos pqfn 2x2

Infineon’s OptiMOS™ 5 25 V and 30 V solutions in PQFN 2x2 deliver a new power density and energy efficient dimension with the industry’s lowest on-state resistance. The small 2 x 2 mm2 package footprint offers PCB layout routing flexibility. Combined with an outstanding electrical performance, the solution further contributes to the power density and form factor improvement in the end application.

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Information Number : INFPSS202202-059j