IRHMB7260
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IRHMB7260
IRHMB7260
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    25 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL型番
    2N7433D4
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    77 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMB7260 R4 rad hard HEXFET MOSFET is an N-channel device in a TO-254AA tabless low ohmic package, with a 200V rating, 35A current, and electrical performance up to 100krad(TID). It's a COTS device, radiation-hardened for space applications, with low RDS(on) and gate charge for low power losses in DC-DC converters and motor control. A reliable and stable MOSFET with voltage control and fast switching.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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