IRFS5615

Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

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IRFS5615
IRFS5615

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    33 A
  • Ptot max
    144 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    42 mΩ
  • RthJC max
    1.045 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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