IRF3205L

IRF3205L

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package

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IRF3205L
IRF3205L

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    110 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    97.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.75 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    I2PAK (TO-262)
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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