IPC022N03L3

データシート

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IPC022N03L3
IPC022N03L3
データシート

Product details

  • EAS/Avalanche Energy
    50 mJ
  • RDS (on)
    5.3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    50 mΩ
  • VBRDSS max
    30 V
  • VDS
    30 V
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1 V to 2.2 V
  • ダイサイズ (-)
    1.05 mm² to 2.1 mm²
  • ダイサイズ (Area)
    2.2 mm²
  • ダイサイズ (Y)
    2.1 mm
  • ダイサイズ (X)
    1.05 mm
  • モード
    Enhancement
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    175
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior as increased battery life.

機能

  • Best-in-class on-state resistance
  • Benchmark switching performance due to lowest figure of merits R on x Q g and R on x Q gd
  • Low gate resistance
  • Excellent 5V gate drive performance
  • Optimized EMI behavior based on an integrated damping network
  • Super barrier diode may improved efficiency by upwards of 2%.

利点

  • Save overall system costs by reducing the number of phases in multiphase converters
  • Highest efficiency
  • Smallest footprint and highest power density with S3O8 & CanPAK™
  • Easy to design-in
  • Can be driven from 5V system rail giving excellent performance

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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