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IPB123N10N3 G
生産終了
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RoHS対応

IPB123N10N3 G

生産終了
データシート
パッケージ

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IPB123N10N3 G
IPB123N10N3 G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    1880 pF
  • Coss
    330 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    58 A
  • IDpuls (最大)
    232 A
  • Ptot (最大)
    94 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12.3 mΩ
  • Rth
    1.6 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～3.5 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 予算価格€/ 1k
    0.57
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
OPN
IPB123N10N3GATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Low Q g and Q gd
  • Excellent gate charge
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ