IPA126N10N3 G

IPA126N10N3 G

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPA126N10N3 G
IPA126N10N3 G

製品仕様情報

  • Ciss
    1880 pF
  • Coss
    330 pF
  • ID (最大)
    35 A
  • IDpuls (最大)
    140 A
  • Ptot (最大)
    33 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12.6 mΩ
  • Rth
    4.5 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (typ) 範囲
    2 V~3.5 V
  • VGS(th) (typ)
    2.7 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ