CY62128EV30LL-45SXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62128EV30LL-45SXIT

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パッケージ
個.
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CY62128EV30LL-45SXIT
CY62128EV30LL-45SXIT
個.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62128EV30LL-45SXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62128EV30LL-45SXITはポータブル/組込み向けの1 Mbit（128K×8）CMOS SRAMです。2.2 V～3.6 V、-40°C～85°C（産業）で動作し、45 nsアクセスに対応。ICCは1 MHzで標準1.3 mA（最大2.0 mA）、スタンバイは1 µA（最大4 µA）で非選択時に自動パワーダウン。CE1/CE2/OEでリード/ライトとメモリ拡張に対応。-45SXIはPbフリー32ピン450 mil SOICです。

特長

  • 1 Mbit SRAM、128K×8構成
  • 45 ns読出/書込サイクル
  • 2.2 V～3.6 V単一電源
  • 自動CEパワーダウン(ISB1/2)
  • スタンバイ1 µA typ、4 µA max
  • 1 MHzで1.3 mA typ動作
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • データ保持電流3 µA max
  • OE/WEでI/Oバスを3ステート
  • 入出力容量最大10 pF
  • ESD>2001 V(883-3015)
  • 動作温度-40°C～+85°C

利点

  • 小容量コード/データに適合
  • 45 nsで高速メモリアクセス
  • 2.2–3.6 Vで3 V系に対応
  • パワーダウンで待機電力削減
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 低動作電流で消費電力低減
  • バックアップ時もデータ保持
  • 3 µA maxで保持設計が容易
  • 3ステートで拡張が容易
  • 低容量で信号品質を維持
  • 高ESD耐性で故障を低減
  • -40°C～+85°Cで信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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