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BFR840L3RHESD
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFR840L3RHESD

生産終了
データシート
パッケージ

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BFR840L3RHESD
BFR840L3RHESD
データシート

製品仕様情報

  • fT
    75 GHz
  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    35 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    17 dBm
  • OP1dB
    4 dBm
  • Ptot
    75 mW
  • VCEO (最大)
    2.25 V
OPN
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSLP-3-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSLP-3-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

特長

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
  • High transition frequency fT = 75 GHz to enable best in class noise performance at high frequencies: Nfmin = 0.65 dB at 5.5 GHz, 1.1 dB at 12 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • High gain Gms = 22 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • OIP3 = 18 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require a corresponding collector resistor)
  • Low profile and small form factor leadless package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ