Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BFR840L3RHESD

データシート
パッケージ

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BFR840L3RHESD
BFR840L3RHESD
データシート

Product details

  • fT
    75 GHz
  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • IC max
    35 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    17 dBm
  • OP1dB
    4 dBm
  • Ptot
    75 mW
  • VCEO max
    2.25 V
推奨
OPN
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TSLP-3-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSLP-3-9
パッケージ名 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

機能

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
  • High transition frequency fT = 75 GHz to enable best in class noise performance at high frequencies: Nfmin = 0.65 dB at 5.5 GHz, 1.1 dB at 12 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • High gain Gms = 22 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • OIP3 = 18 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require a corresponding collector resistor)
  • Low profile and small form factor leadless package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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