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BFP650
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP650

生産終了
データシート
パッケージ

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BFP650
BFP650
データシート


製品仕様情報

  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    150 mA
  • NFmin
    0.80 dB @900 MHz
  • OIP3
    31 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    17 dBm @900 MHz
  • VCEO (最大)
    4 V
  • パッケージ
    SOT343

OPN
BFP650H6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor

特長

  • Highly linear low noise driver amplifier for all RF frontends up to 4.5 GHz
  • Output compression point OP1dB = 17 dBm at 70 mA, 3V, 2.4 GHz, 50Ω system
  • Output 3rd order intermodulation point OIP3 = 30 dBm at 70 mA, 3 V, 2.4 GHz, 50 Ω system
  • Maximum available gain Gma = 17.5 dB at 70 mA, 3V, 2.4 GHz
  • Minimum noise figure NFmin = 1 dB at 30 mA, 3V, 2.4 GHz
  • Based on Infineon´s reliable, high volume SiGe:C wafer technology
  • Easy to use Pb-free (RoHS compliant) standard package with visible leads

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ