Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BFP650

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BFP650
BFP650
EA.
データシート

Product details

  • Gmax
    26.50 dB @900 MHz
  • IC max
    150 mA
  • NFmin
    0.80 dB @900 MHz
  • OIP3
    31 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    17 dBm @900 MHz
  • VCEO max
    4 V
  • パッケージ
    SOT343
推奨
OPN
BFP650H6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
SOT343
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOT343
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor

機能

  • Highly linear low noise driver amplifier for all RF frontends up to 4.5 GHz
  • Output compression point OP1dB = 17 dBm at 70 mA, 3V, 2.4 GHz, 50Ω system
  • Output 3rd order intermodulation point OIP3 = 30 dBm at 70 mA, 3 V, 2.4 GHz, 50 Ω system
  • Maximum available gain Gma = 17.5 dB at 70 mA, 3V, 2.4 GHz
  • Minimum noise figure NFmin = 1 dB at 30 mA, 3V, 2.4 GHz
  • Based on Infineon´s reliable, high volume SiGe:C wafer technology
  • Easy to use Pb-free (RoHS compliant) standard package with visible leads

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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