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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

BFP640FESD

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Product details

  • fT
    46 GHz
  • Gmax
    29.50 dB @900 MHz
  • IC max
    50 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    26 dBm
  • OP1dB
    11.5 dBm
  • Ptot
    200 mW
  • VCEO max
    4.1 V
  • パッケージ
    TSFP-4
OPN
BFP640FESDH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The BFP640FESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT) in a plastic thin small flat 4-pin dual emitter package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640FESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.

機能

  • Robust high performance low noise amplifier based on Infineon´s reliable, high volume SiGe:C wafer technology
  • 2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
  • High maximum RF input power of 21 dBm
  • 0.6 dB minimum noise figure typical at 1.5 GHz, 0.65 dB at 2.4 GHz, 6 mA
  • 28.5 dB maximum gain Gms typical at 1.5 GHz, 25 dB at 2.4 GHz, 30 mA
  • 26 dBm OIP3 typical at 2.4 GHz, 30 mA
  • Accurate SPICE GP model available to enable effective design in process (see chapter 6)
  • Thin, small, flat, Pb- and halogen free (RoHS compliant) package with visible leads

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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