ソースダウン

インフィニオンのOptiMOS™低電圧パワーMOSFETは、ソースダウンテクノロジーにより、革新的で性能が向上したPQFNパッケージコンセプトを実現しています。この新しいパッケージでは、シリコンの上下が逆さになっており、ソース電極はドレイン電極ではなく、サーマルパッド側に直接接続されています。

25V、3.3mm×3.3mmのソースダウン構造のパッケージは、 市場投入した全製品ファミリーで初の製品になります。今後二年間で25V～150Vの製品ラインアップを、すべてリリースします。この新技術は、ソースダウン版と、並列配置に特化したソースダウン・センターゲート版の2種類のパッケージ展開になります。ソースダウン構造は、既存ソリューションに比べ、低いR_DS(on) や高い放熱性など、様々な利点があります。さらに、ソースダウン構造は、アクティブ冷却、および熱管理により効果的なレイアウトを実現しています。ソースダウン構造のPQFN (3.3mm x 3.3㎜) パッケージに封止されたOptiMOS™ 低電圧パワーMOSFETファミリーのターゲットアプリケーションは、ドライブ、テレコム、SMPS、サーバーです。