Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S25HS01GTDPMHI010

EA.
在庫㝂り

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S25HS01GTDPMHI010
S25HS01GTDPMHI010
EA.

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S25HS01GTDPMHI010
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 240
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫㝂り

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 240
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスポャーパッキン DRY
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫㝂り
The S25HS01GTDPMHI010 is a high-density SEMPER™ NOR Flash Memory device from Infineon. With a 1 Gbit density, this device operates at a voltage of 1.8 V and offers powerful performance with SDR/DDR interface frequencies of 133/66 MHz. It is engineered using advanced Infineon 45-nm MIRRORBIT™ technology that allows storage of two data bits per memory array cell. Its Quad SPI interface enables a bandwidth of 66 MByte/s.

機能

  • Quad SPI
  • Integrated critical safety features
  • Error correction code
  • 10+ years product availability
  • 25 years of data retention
  • SafeBoot and diagnostics

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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