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IRHNME597110

耐放射線性、100 V、-3.1 A、SMD-0.2e セラミック リッド パッケージの耐放射線性MOSFET – 100 krad TID、COTS
データシート

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IRHNME597110
IRHNME597110
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (25C) (最大)
    1.2 Ω
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2e
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNME597110は、R9世代の耐放射線性シングルPチャネルMOSFETで、セラミックリッド付きSMD-0.2eパッケージに収められており、100 V / -3.1 Aに対応します。低RDS (on) と高速スイッチング時間の組み合わせにより、DC-DCコンバータやモータードライブなどのアプリケーションで高い性能を実現できるため、宇宙用途に最適です。このデバイスは、実績のある電圧制御や高速スイッチングなど、MOSFETの利点をすべて備えています。

特長

  • SEE (シングルイベント効果) 耐性は最大LET = 90 MeV·cm2/mg
  • 低RDS (on)
  • 低い総ゲート電荷
  • 高速スイッチング
  • 気密封止セラミックパッケージ
  • 表面実装
  • 軽量
  • ESD 定格: class 1A (MIL-STD-750, 1020)

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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