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IRHNJ63230

データシート
パッケージ

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IRHNJ63230
IRHNJ63230
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7591U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
This 200V, 16A rad hard R6 N-channel MOSFET in a SMD-0.5 package is designed for space applications with improved immunity to Single Event Effects (SEE). IRHNJ63230 has low RDS(on) and fast switching times that increases power density in high-speed applications like DC-DC converters and motor controllers. With COTS classification and up to 300krad(Si) TID electrical performance, this MOSFET is made for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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