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IRHN57250SE

データシート
パッケージ

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IRHN57250SE
IRHN57250SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • QG
    132 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    60 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHN57250SE N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 31A capabilities, featuring low RDS(on), low gate charge, and established MOSFET benefits. This COTS MOSFET is ideal for space applications and characterized for SEE with useful performance up to LET 80 MeV·cm2/mg. The device reduces power losses in DC-DC converters and motor control applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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