IRHN57250SE
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IRHN57250SE

データシート
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IRHN57250SE
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データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    31 A
  • QG
    132 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    60 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHN57250SE N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 31A capabilities, featuring low RDS(on), low gate charge, and established MOSFET benefits. This COTS MOSFET is ideal for space applications and characterized for SEE with useful performance up to LET 80 MeV·cm2/mg. The device reduces power losses in DC-DC converters and motor control applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ