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IRHN57250SE

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IRHN57250SE
IRHN57250SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    31 A
  • QG
    132 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    60 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    5
  • パッケージ
    SMD-1
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-1 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHN57250SE N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 31A capabilities, featuring low RDS(on), low gate charge, and established MOSFET benefits. This COTS MOSFET is ideal for space applications and characterized for SEE with useful performance up to LET 80 MeV·cm2/mg. The device reduces power losses in DC-DC converters and motor control applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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