IRF9Z24NS

-55V Single P-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package

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IRF9Z24NS
IRF9Z24NS

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -12 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG (typ @10V)
    12.7 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    175 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    -55 V
  • VGS(th) (範囲)
    -2 V ～ -4 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High current carrying capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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