IRF8915

20V Dual N-Channel Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF8915
IRF8915
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    8.9 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    18.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    27 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard surface-mount package
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop-in replacement
  • High performance in low frequency applications

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }