Active and preferred
RoHS準拠

IPD70N10S3L-12

100 V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T

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IPD70N10S3L-12
IPD70N10S3L-12

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2030
  • ID (@25°C) max
    70 A
  • IDpuls max
    280 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG (typ @10V)
    59 nC
  • QG (typ @10V) max
    77 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.5 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 予算価格€/ 1k
    0.87, 0.87
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™T
  • 極性
    N
  • 発売年
    2008
  • 認定
    Automotive
OPN
IPD70N10S3L12ATMA2 IPD70N10S3L12ATMA1
製品ステータス active and preferred not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK DPAK
包装サイズ 2500 2500
包装形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
水分レベル 1 N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • N-Channel - Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • 100% Avalanche tested
  • Green Product (RoHS compliant)
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest current capability 180A
  • Low switching and conduction losses
  • High thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimized total gate charge
  • Smaller driver output stages

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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