Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B104Q-LHXI

High-Density 4 Mbit SPI Nonvolatile Memory with Industrial Qualification and Wide Operating Range
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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CY15B104Q-LHXI
CY15B104Q-LHXI
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B104Q-LHXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CY15B104Q-LHXI is a 4 Mbit F-RAM, offering 151-year data retention, rapid bus-speed write operations, and substantial write endurance, making it ideal for nonvolatile memory applications. It provides reliable, high-speed performance, and significant benefits as a hardware replacement for serial EEPROM or flash.

機能

  • 4 Mbit F-RAM logically organized as 512 K × 8
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Up to 40 MHz frequency
  • Sophisticated write protection scheme
  • Manufacturer ID and Product ID
  • Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
  • Industrial temperature: –40°C to +85°C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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