Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B104Q-LHXI

High-Density 4 Mbit SPI Nonvolatile Memory with Industrial Qualification and Wide Operating Range
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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CY15B104Q-LHXI
CY15B104Q-LHXI
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B104Q-LHXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 370
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY15B104Q-LHXIは4 Mbit（512 K × 8）シリアルF-RAMメモリで、SPIインターフェースを採用し、100兆（10¹⁴）回の読み書き耐久性と65°Cで最大151年のデータ保持を実現します。2.0 V～3.6 V動作、最大40 MHz対応、低消費電力と高度な書き込み保護を備えます。NoDelay™高速書き込みと8ピンTDFNパッケージにより、頻繁な高速書き込みを要する産業制御やデータ記録用途に最適です。

特長

  • 4Mビット不揮発F-RAM、512K×8構成
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™書き込み、即時保存
  • 最大40MHzのSPIインターフェース
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 低消費電力：0.3mA動作、3μAスリープ
  • VDD動作範囲2.0 V～3.6 V
  • 工業温度：–40°C～+85°C
  • デバイスIDで製造元/製品情報

利点

  • 頻繁なデータ記録も信頼保存
  • 電源断でもデータ消失なし
  • 書き込み遅延ゼロで即時更新
  • 高速SPIで統合が容易
  • シリアルフラッシュ/EEPROM置換簡単
  • 重要データを柔軟に保護
  • 待機/スリープで省エネ
  • 過酷な環境でも動作
  • 長寿命を実現
  • デバイス識別が容易

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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