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RoHS準拠
鉛フリー

BSB165N15NZ3 G

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BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G

Product details

  • Ciss
    2100 pF
  • Coss
    240 pF
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • IDpuls max
    180 A
  • Ptot max
    78 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    16.5 mΩ
  • Rth
    1.6 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MZ-25
  • 予算価格€/ 1k
    1.04, 1.04
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 極性
    N
OPN
BSB165N15NZ3GXUMA3 BSB165N15NZ3GXUMA2
製品ステータス active active
インフィニオンパッケージ MG-WDSON-5
パッケージ名 N/A N/A
包装サイズ 4800 5000
包装形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
水分レベル 3 3
モイスチャーパッキン DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ MG-WDSON-5
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

機能

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Low Q g and Q gd
  • Excellent gate charge
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
Easy-to-design products23

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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