BSB165N15NZ3 G
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

BSB165N15NZ3 G

データシート
パッケージ

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BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    2100 pF
  • Coss
    240 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • IDpuls (最大)
    180 A
  • Ptot (最大)
    78 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    16.5 mΩ
  • Rth
    1.6 K/W
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MZ-25
  • 予算価格€/ 1k
    1.04, 1.04
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
BSB165N15NZ3GXUMA3 BSB165N15NZ3GXUMA2
製品ステータス active active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
MG-WDSON-5
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 4800 5000
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3 3
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 -
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ MG-WDSON-5
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Low Q g and Q gd
  • Excellent gate charge
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
Easy-to-design products23
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

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