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BGS13S4N9
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

BGS13S4N9

生産終了
パッケージ

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BGS13S4N9
BGS13S4N9


製品仕様情報

  • Pmax (最大)
    30 dBm
  • スイッチ タイプ
    SP3T
  • 制御インターフェース
    GPIO
  • 周波数範囲
    0.1 - 3.0 GHz
  • 挿入損失 (@1GHz)
    0.2 dB
  • 絶縁 (@1GHz)
    33 dB
  • 電源電圧
    1.8 - 3.3 V

OPN
BGS13S4N9E6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSNP-9-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSNP-9-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 15000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The BGS13S4N9 RF MOS switch is specifically designed for cell phone and mobile applications. Any of the 3 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm. It offers outstanding ESD robustness of 1kV. This SP3T offers low insertion loss and high robustness against interferer signals at the antenna port and low harmonic generation in termination mode. The on-chip controller integrates CMOS logic and level shifters, driven by control inputs from 1.35 V to VDD. The BGS13S4N9 RF Switch is manufactured in Infineon’s patented CMOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS.  

特長

  • 3 high-linearity TRx paths with power handling capability of up to 30 dBm
  • Small form factor 1.1 x 1.1 mm2 x 0.375 mm
  • Low insertion loss @2.7GHz 0.55 dB
  • Low harmonic generation
  • High port-to-port-isolation
  • 0.1 to 3.0 GHz coverage
  • On-chip control logic including ESD protection
  • GPIO control interface
  • No power supply blocking required
  • High EMI robustness
  • RoHS and WEEE compliant package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ