Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BAT15-02ELS

データシート
パッケージ

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BAT15-02ELS
BAT15-02ELS
データシート

製品仕様情報

  • C @VR=0V
    0.2 pF
  • IF max
    110 mA
  • VF
    0.25 V
  • VR max
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Single
推奨
OPN
BAT1502ELSE6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TSSLP-2-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TSSLP-2-3
パッケージ名 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
This Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02ELS a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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