新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BFP196WN

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BFP196WN
BFP196WN
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Gmax
    17 dB @900 MHz
  • IC max
    150 mA
  • NFmin
    1.10 dB @900 MHz
  • OIP3
    32 dBm @900 MHz
  • OP1dB
    19 dBm @900 MHz
  • VCEO max
    12 V
  • パッケージ
    SOT343
OPN
BFP196WNH6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT343-4-1
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
SOT343-4-1
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
NPN silicon planar epitaxial transistor in 4-pin dual-emitter SOT343 package for low noise and low distortion wideband amplifiers. This RF transistor benefits from Infineon long-term experience in RF components and combines ease-of-use to stable volumes production, at benchmark quality and reliability.

機能

  • For high voltage applications VCE < 12 V
  • Maximal power Ptot = 700 mW
  • Transition frequency fT = 7.5 GHz
  • Noise figure NFmin = 1.3 dB at 900 MHz
  • Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free industry
  • Standard SOT343 package with visible leads

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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