OptiMOS™ 6 100V
概要
OptiMOS™ 6 100V - 高スイッチング周波数のアプリケーション向けに新たな業界標準を確立する最新パワーMOSFET技術
既に確立されているOptiMOS™ 5技術に比べて、インフィニオンの最先端薄型ウェハー技術は、大幅な性能向上をもたらします。
- RDS(on) が18%減少
- FOM Qg x RDS(on) を29%改善
- FOM Qgd x RDS(on) を42%改善
インフィニオンOptiMOS™ 6パワーMOSFET 100 Vファミリーは、テレコムやソーラーなどの高いスイッチング周波数のアプリケーションに最適です。オン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd)の向上により、効率が改善され、熱設計が容易になり、また並列製品の数も減らすことができるため、システムコストの削減につながります。こうした機能強化により、OptiMOS™ 6 100 Vは、パワーツール、ドローン、ロボットなどのバッテリー駆動アプリケーションや、バッテリー管理システムにも使用することができます。
アプリケーションやテスト結果の詳細については、OptiMOS™ 6 100Vテクノロジーのプロモページをご覧ください。
OptiMOS™ 5との比較において、以下のような特徴があります：
- RDS(on)が最大20% 低減
- FOMg が30％、FOMgdが40％向上
- 逆回復電荷 (Qrr) を低減し、よりソフトに
- ジャンクション温度175 °Cに対応
- 高いアバランシェ最大定格
- 鉛フリーめっき、RoHS対応
利点：
- 低い導通損失
- 低いスイッチング損失
- 高速ターン/オン
- 並列化の必要性を低減
- 堅牢で信頼性の高い性能
- 環境にやさしい
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