OptiMOS™ 30Vハーフブリッジ

概要

無線充電およびドライブに最適化されたインフィニオンのソリューション

インフィニオンのOptiMOS™テクノロジーとPQFN 3x3パッケージの組み合わせにより、サイズの要求が厳しいDC-DCアプリケーションに最適なソリューションを提供します。BSZ0909ND および新製品 BSZ0910ND は、効率を低下させずにレイアウトを単純化して、実装面積を大幅に低減する必要のある、ワイヤレス給電やドライブ（たとえばマルチコプター、ウェアラブル機器）に最適です。

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推奨ドキュメント

Button-Infineon-PowerandSensing-SG
OptiMOS™ and StronIRFET™ selection guide button

Power Block

Infineon image power block package top layer layout OptiMOS™

Easy and compact layout: Improved power loop (connection to input capacitors) direct PGND connection for better cooling.

Power Stage 3x3

主な特長

  • 小さい3.0x3.0 mm²パッケージで非常に低いRDS(on) の対称ハーフブリッジ
  • エクスポーズドパッド
  • ロジックレベル（4.5V定格）
  • RoHS指令完全準拠 6/6（鉛フリー）

主なメリット

  • 低いスイッチング損失
  • 高いスイッチング周波数で使用可能
  • きわめて低い寄生容量
  • 低い動作温度
  • 低いゲートドライブ損失
  • RoHS 6/6 鉛フリー製品

主なアプリケーション

Infineon image OptiMOS™ Power Stage application

  • 主な特長

    • きわめて低いQg
    • 小さい3.0x3.0 mm²パッケージの対称ハーフブリッジ
    • エクスポーズドパッド
    • ロジックレベル（4.5 V定格）
    • RoHS指令完全準拠 6/6（鉛フリー）

    主なメリット

    • 低いスイッチング損失
    • 高いスイッチング周波数で使用可能
    • きわめて低い寄生容量
    • 低い動作温度
    • 低いゲートドライブ損失
    • RoHS 6/6 鉛フリー製品

    主なアプリケーション

Infineon image system Diagram BS0910ND

Qi（WPC）は、単一コイルまたは複数コイルの電磁誘導方式を採用しており、100～300kHzの周波数を使用し、数量で見た場合、スマートフォンセグメントでは現在の市場の主流となっています。これが広く使われているのは、そのコスト効率の良さによるものです。電磁誘導方式は、必ず帯域内通信を利用しています。

BSZ0910NDは、ゲート・ソース間オン抵抗RDS(on)に最適化された性能指数を備えており、高速スイッチングについては業界トップレベルの製品です。

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ワイヤレス給電選択ツール

インフィニオンの選択ツールで、設計要件に適した部品を見つけていただけます。アプリケーション、電力範囲、適用規格、トポロジを選択するだけで、お客様の設計に適したインフィニオンの推奨製品が得られます。

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